硅探测器是以硅材料为探测介质的辐射探测器。

光电探测器:硅(si)-偏压 常规型

离子注入监测 

- 能量测量：在半导体制造的离子注入工艺中，硅探测器可精确测量注入离子的能量。不同能量的离子会在硅探测器中产生不同的信号，通过分析这些信号能得知离子能量是否符合工艺要求，进而确保注入离子能够准确地穿透到半导体材料的特定深度，形成预期的杂质分布。

- 剂量监测：它还能对注入离子的剂量进行监测。离子注入剂量直接影响着半导体器件的电学性能，硅探测器通过统计一定时间内接收到的离子数量，可实时反馈离子注入的剂量信息，以便操作人员及时调整工艺参数，保证剂量的准确性。 缺陷检测 

- 电子束检测：当使用电子束对半导体器件进行检测时，硅探测器可以接收电子束与半导体材料相互作用产生的二次电子、背散射电子等信号。如果半导体器件存在缺陷，如晶体结构缺陷、杂质聚集等，这些信号的强度和分布会发生变化，硅探测器将这些变化转化为电信号，经过分析就能确定缺陷的位置和类型。

- X射线检测：利用X射线对半导体器件进行照射，硅探测器可探测X射线在材料中产生的荧光、衍射等信号。当器件内部存在缺陷时，X射线的吸收和散射情况会有所不同，导致探测器接收到的信号出现异常，从而帮助检测出诸如内部裂纹、空洞等缺陷。

电学性能测试 

- 载流子浓度测量：硅探测器可以通过与半导体器件形成特定的接触结构，利用电容 - 电压（C-V）测量等方法来研究器件中载流子的浓度分布。通过分析探测器所得到的电信号与器件偏置电压之间的关系，能够获取有关半导体材料中杂质浓度、载流子类型等信息，进而评估器件的电学性能。

- 漏电检测：在对半导体器件进行漏电测试时，硅探测器作为灵敏的电流检测装置，能够精确测量器件在不同偏置条件下的漏电流。即使是微小的漏电流变化也能被探测器捕捉到，这有助于及时发现器件中存在的漏电路径或绝缘层缺陷等问题，确保器件的可靠性和稳定性。

工艺监控与质量控制 

- 在线监测：在半导体生产线中，硅探测器可以集成到工艺设备中，对离子注入、刻蚀、薄膜沉积等关键工艺进行实时在线监测。通过及时反馈工艺过程中的相关信息，如离子能量、剂量、薄膜厚度等，操作人员可以及时调整工艺参数，保证工艺的稳定性和重复性，提高产品的一致性和良品率。

- 成品检测：在半导体器件制造完成后，利用硅探测器对器件进行全面检测，能够筛选出存在各种缺陷和性能不达标的产品。这种检测方式可以有效控制产品质量，降低不良品率，减少生产成本和市场风险。

硅探测器欢迎咨询长春博盛量子，0431-85916189